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据eenewseurope网6月19日报道,比利时鲁汶微电子研究中心(IMEC)宣布研发全球首款基于5纳米FinFET CMOS工艺的7位、150 GSa/s数模转换器(DAC),采用PAM-4调制技术,目标实现每通道300 Gb/s数据传输速率。该突破标志着欧洲首次在主流FinFET工艺中实现DAC性能飞跃,此前此类技术仅限于垂直集成实验室或专有工艺。
IMEC高速收发器项目经理Peter Ossieur表示,该芯片兼顾速度与能效,设计目标为每通道400 Gb/s,可满足数据中心、超大规模计算及400 GbE以上多通道系统需求,为未来100 GHz带宽链路的300-400 GSa/s转换器奠定基础。
此次突破填补了欧洲在尖端DAC/ADC开发领域的空白,使IMEC的工艺与架构技术能够支撑下一代SerDes和光收发器ASIC。欧盟芯片设计重心正从IP授权转向高速混合信号创新,以应对全球56 Tbit/s交换结构、AI加速器等超高效I/O需求。
(编译:胡伟)
链接:
https://www.eenewseurope.com/en/analog-breakthrough-imec-150-gsa-s-dac-boosts-european-300-gb-s-links/
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